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大学 中国科学院微电子研究所 / 集成电路先导工艺研发中心
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Spin-polarized charge trapping cell based on a topological insulator quantum dot

2017
期刊 RSC Advances
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We demonstrate theoretically that a topological insulator quantum dot can be formed via double topological insulator constrictions (TICs), and can be used as a charge and/or spin carrier trap memory element.

  • 卷 7
  • 期 49
  • 页码 30963-30969
  • Royal Society of Chemistry (RSC)
  • ISSN: 2046-2069
  • DOI: 10.1039/c7ra03482b
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