#Bing Ye

Heavy-ion and pulsed-laser single event effects in 130-nm CMOS-based thin/thick gate oxide anti-fuse PROMs

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Effects of total ionizing dose on single event effect sensitivity of FRAMs

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Heavy Ion Radiation Effects on a 130-nm COTS NVSRAM Under Different Measurement Conditions

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Application of SEU imaging for analysis of device architecture using a 25 MeV/u 86 Kr ion microbeam at HIRFL

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Influence of heavy ion flux on single event effect testing in memory devices

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Prediction of proton-induced SEE error rates for the VATA160 ASIC

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Monte Carlo predictions of proton SEE cross-sections from heavy ion test data

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Geant4 simulation of proton-induced single event upset in three-dimensional die-stacked SRAM device

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Impact of energy straggle on proton-induced single event upset test in a 65-nm SRAM cell

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Heavy-ion induced radiation effects in 50 nm NAND floating gate flash memories

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Anomalous annealing of floating gate errors due to heavy ion irradiation

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Influences of total ionizing dose on single event effect sensitivity in floating gate cells

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

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