array(1) {
["lab"]=>
string(4) "1026"
}
新型显示技术实验室 | 设备 | 广东省科学院 | LabXing
finetech flip-chip bonder
生产年份: 2010
多用途亚微米贴片机
FINEPLACER lambda是一款极具灵活性的多用途亚微米贴片机，适用于各类精确定位、芯片贴装（倒装芯片或正装芯片）、以及各类高端封装。适用于范围广泛的各种复杂工艺应用,包括：激光巴条，激光单管的铟、金锡共晶焊，VCSEL/PD 芯片的高精度键合（胶粘，固化），以及普遍运用于通信和医疗技术行业的微机电系统/微光机电系统（如 MEMS/MOEMS）的多级封装等。
相关参数
贴装精度：±0.5μm；
视场(最小)：0.55mm×0.45mm；
视场(最大)：6.7mm×5.4mm；
元件尺寸(最小)：0.1mm×0.1mm；
元件尺寸(最大)：15mm×15mm；
贴片压力范围：0.1N-400N；
加热温度(最高）：400℃；
ICP
生产年份: 2010
oxford instrument 产的ICP 刻蚀设备
MOCVD
生产年份: 2010
CRIUS MOCVD(金属有机化学气相沉积)，是利用金属有机化合物进行金属输运的一种气相外延生长技术，以有机化合物和氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。
我院采用的MOCVD设备是德国爱思强（Aixtron）公司生产的CRIUS 31×2" CCS MOCVD系统，进行GaN系蓝绿光材料生长。该设备采用Thomas Swan的垂直式近耦合喷淋反应室，喷淋头与衬底之间的距离为十几厘米，同时喷淋头上喷孔密度高达15.5个/cm2，可以保证从两组相间的喷孔注入的Ⅲ族源和Ⅴ族源在到达衬底前可以充分混合。基座采用三组电阻加热，以保证温度均匀。
probe station
生产年份: 2017
设备型号：B1505A、TS2000-HP
设备厂商：Keysight、MPI
设备介绍：
B1505A 是一个功能强大的测量和表征工具，能评估所有类型的功率器件，其优异的性能包括宽电压和电流范围，快脉冲能力（10μs），μΩ级导通电阻测量分辨率，以及亚pA级电流测量能力，可提供高效的功率器件测量解决方案。此外，它能在高电压偏置下进行电容测量，示波器观察功能还可对脉冲波形进行视觉验证。
主要特点：
– 进行宽范围的电流/电压测量: 达1500A/10kV
– 精确的泄漏电流测量(亚pA能力)
– 精密的导通电阻表征(µΩ分辨率)
– 快至10µs的大功率脉冲测量
– 高电压偏置下的中电流测量能力: 500mA @ 1200V
– 进行高电压偏置的CV测量
– 最大直流偏置±3000V
– 高功率圆片探测支持，在圆片上进行>200A和10kV的测试
– 真旋钮扫描曲线追踪仪功能
– 支持输出波形监视的示波器观察(I/V)功能
– 易于使用的EasyEXPERT测试环境可全自动测量和数据分析
– 可溯源至国际标准的大电流∕电压测量
– 可扩展的平台和体系结构，能随需求变化添加测量能力
– 提供 4 种测试模式: 曲线测试模式、应用测试模式、传统测试模式和快速测试模式。可以为用户不同的器件测试选择，以最大程度地提高测量灵活性。
– 模块化配置，有10个用于支持模块的插槽
– 多频电容测量单元（MFCMU），频率范围1kHz至1MHz
– 多种适用SMU类型：HPSMU, MPSMU，MCSMU，HCSMU，HVSMU和UCSMU
– 适用于封装测试和晶圆测试的标准附件：测试夹块选择器具，模和高压偏置三通
光刻机
生产年份: 2010
设备名称：光刻机
设备厂商：美国ABM公司
工作原理：将设计的掩模图形通过光刻机曝光转移 到涂有光刻胶的晶片上。
用途：光刻胶的图形化
技术指标：
1.紫外光波长：365nm，曝光能量密度18-20mW/cm2可调
2. 样品尺寸：6英寸及以下
3. 分辨率：接触曝光＜0.5μm，接近式曝光≤1μm
4.对准精度:＜1μm
快速退火炉
生产年份: 2012
设备名称：快速退火炉
设备厂商：台湾技鼎
工作原理：快速退火炉是一种材料快速加热到一定温度并维持一定时间，然后再快速降温。
用途：释放应力；增加材料延展性和韧性；产生特殊显微结构；应用于半导体材料、器件、新材料等的快速热处理（如快速退火、合金等工艺）
技术指标：
1. 样品尺寸：6英寸及以下
2退火温度： 100-1250℃可调，控温精度1℃
3. 温度均匀性：1000℃下，6英寸晶圆≤±1%
4.反应气氛；真空、N2、O2、空气
点测机
生产年份: 2012
设备名称：点测机（Prober）
设备型号：PG2101
设备厂商：台湾 德仪科技
设备介绍：
通过图像匹配、识别、定位等过程，获取蓝膜上课识别晶粒的物理位置，同时生成该蓝膜上LED晶粒点测得原理是将大载有大量LED晶粒的待测蓝膜（扩散分离后）放入测试台（wafer）上，经真空吸附固定后，LED晶粒自动点测台的视觉系统对蓝膜上的LED晶粒进行全片扫描，LED晶粒的逻辑位置图（MAP），根据LED晶粒的物理位置，控制待测的晶粒移动到测针下，使LED晶粒的两极与测针接触，提供测试回路；同时将逻辑位置发送给LED晶粒测试仪，实现自动测试，并将测试结果保存到用于管理测试资料的数据库系统中。
主要特点：
l 适合正装结构、倒装结构以及垂直结构的LED芯片；
l 最大适用8英寸晶圆测试；
l 最大适用功率达160W；
l 适用VF达400V的HV LED芯片；
l 自动调平，自动寻边探测，探针精确定位；
l 快速抽测，实时Mapping图显示。
应用领域：
点测机可广泛应用于LED晶圆检测、生物研究、军工行业、科学研究、玻璃行业、宝石研究、光伏产业、特殊光源检测等领域。
磁控溅射台
型号: Kurt
生产年份: 2017
磁控溅射仪，是利用高能粒子撞击具有高纯度的靶材固定平板，通过物理过程轰击出原子，这些被撞击出的原子穿过真空，最后淀积在样品表面。主要用于：Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、Ti、W、Pd、Pt、Zn等金属薄膜沉积，AlN、ITO、SiN、SiO2、TiO2、ZnO、IGZO等化合物材料沉积。
技术指标：1. 样品尺寸：5*2英寸、1*4英寸、1*6英寸；2. 基板加热温度： 室温-350℃可调，控温精度1℃
3.配备四台溅射靶枪，其中一个靶枪支持强磁性材料
4. 300W射频电源，2kW 直流脉冲电源，带有等离子清洗功能
5. 蒸发均匀性：2英寸范围内<±3% ；6英寸范围内±5%
金属蒸发设备
生产年份: 1980
设备名称：金属电子束蒸发台
设备厂商：美国德仪
用途：蒸发Ti，Al，Ni，Cr，Pt，Au，Ag、Mo等金属
技术指标：
1. 样品尺寸：5*2英寸、1*4英寸、1*6英寸
2. 基板加热温度： 室温-500℃可调，控温精度1℃
3. 极限真空： 2×10-8 torr
蒸发均匀性：<±3%
工艺特点：
一炉可以依次蒸镀8钟不同金属；
可以蒸镀高熔点金属Pt、W等；
带有预腔室，保证腔体高真空，形成高质量薄膜；
带有Ar等离子清洗功能，保证薄膜和基底高粘附性
