转自半导体所官网： http://www.gdisit.com/info_view.asp?VID=1585
显示行业发展的过程是不断拔高视觉感官体验阈值的过程，Micro LED凭借其自发光、高效率、低功耗、高稳定等特性，逐渐成为未来显示行业的发展趋势。然而，现阶段 Micro LED 仍存在许多技术瓶颈有待突破，其中利用巨量转移方式制作Micro-LED显示屏目前仍主要采用侧向结构Micro-LED芯片，但侧向结构在分辨率和发光面积上有所限制。而垂直结构LED器件相比侧向结构LED在亮度及发光均匀性上更有优势，因此半导体所新型显示团队针对研究开发基于垂直结构Micro-LED的显示屏幕技术开展了系列创新性研究。
近日，研究人员发展了硅基垂直GaN Micro-LED芯片关键工艺，并结合低成本的胶带辅助巨量转移技术和低温金属键合技术，首次制备出基于垂直结构Micro-LED的阴极可单独寻址的显示原型器件，经一系列表征结果显示相关性能优于传统的侧向结构Micro-LED显示器件。相关研究成果以“Transfer Printed, Vertical GaN-on-Silicon Micro-LED Arrays With Individually Addressable Cathodes”为题，在半导体器件领域国际知名期刊IEEE Transactions On Electron Devices上发表。
该研究工作得到了国家重点研究计划项目和广东省重大专项资金项目的支持。半导体所新型显示团队李长灏、潘章旭为共同第一作者，学科带头人龚政教授为通讯作者。