团队科研人员在新型光电和压电器件方面取得进展
23.03.2021
薄膜GaN芯片在大功率光电器件和高灵敏度压电器件领域具有广阔的应用前景，现阶段实现薄膜GaN芯片的主要手段为短波长激光剥离(LLO)，然而该技术路线存在成本高、热应力大、良率低等瓶颈，限制了其产业化大规模应用。因此，开发低成本、高效率的湿法腐蚀技术，是目前应用基础研究和产业技术研究热点。
近日，省半导体院科研人员与华南师范大学、广东工业大学合作，采用选择性电化学腐蚀技术剥离蓝宝石衬底，分别获得了薄膜InGaN/GaN LED和转移的InGaN/GaN压电式应变传感器，器件展现...
团队成员高质量AlN材料异质外延取得重要进展
16.11.2018
近日，我院研究人员在平片蓝宝石衬底上发展了一种结合溅射AlN缓冲层和精细生长模式调控的新型技术路线，成功开发出高质量的AlN薄膜材料，其位错密度比传统技术路线降低一个量级以上，为进一步研发高性能AlN基器件奠定基础。
得益于纳米孔洞的形成，获得的高质量AlN外延层厚度达到5.6微米却没有表面开裂，微观形貌呈现单原子台阶。
图1. 光学和原子力显微镜下高质量AlN外延层的形貌
生长过程中AlN外延层中的位错通过多种形式成环、融合、湮灭，最终到达样品表面的贯穿位错密度只有4.7 × 107 cm-2。
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