#Chao Geng

Heavy-ion and pulsed-laser single event effects in 130-nm CMOS-based thin/thick gate oxide anti-fuse PROMs

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Simulation of the characteristics of low-energy proton induced single event upset

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Simulation of temporal characteristics of ion-velocity susceptibility to single event upset effect

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Influence of edge effects on single event upset susceptibility of SOI SRAMs

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Impact of temperature on single event upset measurement by heavy ions in SRAM devices

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Influence of deposited energy in sensitive volume on temperature dependence of SEU sensitivity in SRAM devices

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Monte Carlo predictions of proton SEE cross-sections from heavy ion test data

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Large energy-loss straggling of swift heavy ions in ultra-thin active silicon layers

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Investigation of Threshold Ion Range for Accurate Single Event Upset Measurements in Both SOI and Bulk Technologies

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Supply voltage dependence of single event upset sensitivity in diverse SRAM devices

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Density Optimization for Analog Layout Based on Transistor-Array

河科大电子系 IC课题组 , 河南科技大学

Density-feasible Configuration of Transistorarray for Analog Layouts

河科大电子系 IC课题组 , 河南科技大学

Explicit layout pattern density controlling based on transistor-array-style

河科大电子系 IC课题组 , 河南科技大学

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