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#Shuti Li
Performance enhancement of AlGaN-based 365 nm ultraviolet light-emitting diodes with a band-engineering last quantum barrier
先进材料平台 , 广东省科学院
Marked enhancement in the efficiency of deep ultraviolet light-emitting diodes by using a Al x Ga1-x N carrier reservoir layer
先进材料平台 , 广东省科学院