#T.q. Liu


SEU tolerance improvement in 22 nm UTBB FDSOI SRAM based on a simple 8T hardened cell

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Low energy proton induced single event upset in 65 nm DDR and QDR commercial SRAMs

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Heavy ion irradiation induced hard error in MTJ of the MRAM memory array

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所
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