SEU tolerance improvement in 22 nm UTBB FDSOI SRAM based on a simple 8T hardened cell - 单粒子效应研究组 | LabXing

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单粒子效应研究组

简介

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SEU tolerance improvement in 22 nm UTBB FDSOI SRAM based on a simple 8T hardened cell

2019

期刊 Microelectronics Reliability

作者 C. Cai · P.x. Zhao · L.w. Xu · T.q. Liu · D.q. Li · L.y. Ke · Z. He · J. Liu

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卷 100-101
页码 113322
Elsevier BV
ISSN: 0026-2714
DOI: 10.1016/j.microrel.2019.06.014

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