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#Teng Tong
Application of SEU imaging for analysis of device architecture using a 25 MeV/u 86 Kr ion microbeam at HIRFL
单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所
Impact of temperature on single event upset measurement by heavy ions in SRAM devices
单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所
Influence of deposited energy in sensitive volume on temperature dependence of SEU sensitivity in SRAM devices
单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所
Supply voltage dependence of single event upset sensitivity in diverse SRAM devices
单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所