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#Changliang Qin
FOI FinFET with ultra-low parasitic resistance enabled by fully metallic source and drain formation on isolated bulk-fin
微电子所鸿之微集成电路联合计算实验室 , 中国科学院微电子研究所
Fabrication and Characterization of p-Channel Charge Trapping Type FOI-FinFET Memory with MAHAS Structure
微电子所鸿之微集成电路联合计算实验室 , 中国科学院微电子研究所