#Changliang Qin


FOI FinFET with ultra-low parasitic resistance enabled by fully metallic source and drain formation on isolated bulk-fin

微电子所鸿之微集成电路联合计算实验室 , 中国科学院微电子研究所

Fabrication and Characterization of p-Channel Charge Trapping Type FOI-FinFET Memory with MAHAS Structure

微电子所鸿之微集成电路联合计算实验室 , 中国科学院微电子研究所