简介 半导体存储器件
FeFET是非常有前景的存储器方案之一，尤其HfZrO铁电薄膜的发现，更使得Si衬底上HfZrO FeFET器件展现出巨大的前景。然而，疲劳特性（endurance）却是当前巨大挑战之一。本课题组专注研究HfZrO薄膜Si FeFET的疲劳特性，涵盖器件、材料、物理研究，具体包含以下几方面：
（1）栅结构注入/反注入效应（trapping/de-trapping）
（2）栅缺陷钝化
（3）HfZrO铁电薄膜调制
