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#Hong Yang
FOI FinFET with ultra-low parasitic resistance enabled by fully metallic source and drain formation on isolated bulk-fin
微电子所鸿之微集成电路联合计算实验室 , 中国科学院微电子研究所
Novel GAA Si Nanowire p-MOSFETs With Excellent Short-Channel Effect Immunity via an Advanced Forming Process
微电子所鸿之微集成电路联合计算实验室 , 中国科学院微电子研究所
Understanding dipole formation at dielectric/dielectric hetero-interface
铁电器件课题组（王晓磊） , 中国科学院微电子研究所
Comprehensive investigation of the interfacial charges and dipole in GeO x /Al2O3 gate stacks of Ge MOS capacitor by postdeposition annealing
铁电器件课题组（王晓磊） , 中国科学院微电子研究所
Evaluation of hole mobility degradation by remote Coulomb scattering in Ge pMOSFETs
铁电器件课题组（王晓磊） , 中国科学院微电子研究所
Identification of interfacial defects in a Ge gate stack based on ozone passivation
铁电器件课题组（王晓磊） , 中国科学院微电子研究所
Band alignment of HfO2 on SiO2/Si structure
铁电器件课题组（王晓磊） , 中国科学院微电子研究所
Band alignment of TiN/HfO2 interface of TiN/HfO2/SiO2/Si stack
铁电器件课题组（王晓磊） , 中国科学院微电子研究所
Reexamination of band offset transitivity employing oxide heterojunctions
铁电器件课题组（王晓磊） , 中国科学院微电子研究所
A possible origin of core-level shift in SiO2/Si stacks
铁电器件课题组（王晓磊） , 中国科学院微电子研究所
Identification of a suitable passivation route for high-k/SiGe interface based on ozone oxidation
铁电器件课题组（王晓磊） , 中国科学院微电子研究所
Hole mobility degradation by remote Coulomb scattering and charge distribution in Al2O3/GeOxgate stacks in bulk Ge pMOSFET with GeOxgrown by ozone oxidation
铁电器件课题组（王晓磊） , 中国科学院微电子研究所
Impact of Charges at Ferroelectric/Interlayer Interface on Depolarization Field of Ferroelectric FET With Metal/Ferroelectric/Interlayer/Si Gate-Stack
铁电器件课题组（王晓磊） , 中国科学院微电子研究所
Experimental Investigation of Remote Coulomb Scattering on Mobility Degradation of Ge pMOSFET by Various PDA Ambiences
铁电器件课题组（王晓磊） , 中国科学院微电子研究所